特許

J-GLOBAL ID：201303027076599231

p型窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法

発明者： 酒井 士郎 ,  イ ヒソブ
出願人/特許権者： ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104734
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232589
出願日： 2012年05月01日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】新たな原料を用いたp型窒化窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明によると、基板の第1の面に炭化アルミニウムを有する材料片を配置し、基板の第1の面と直交する第1の方向から、アルミニウムを含むガスと、ガリウムを含むガスと、窒素を含むガスとを供給し、基板の第1の面に炭素を含む窒化ガリウムアルミニウム半導体を形成するp型窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の第1の面に炭化アルミニウムを有する材料片を配置し、 前記基板の第1の面と直交する第1の方向から、アルミニウムを含むガスと、ガリウムを含むガスと、窒素を含むガスとを供給し、 前記基板の第1の面に炭素を含む窒化ガリウムアルミニウム半導体を形成することを特徴とするp型窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C30B29/38 C ,  C30B25/18 ,  C23C16/34

Fターム (54件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE10 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA36 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DP04 ,  5F141AA42 ,  5F141CA04 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA72 ,  5F141CA73 ,  5F141CA92

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 基板、積層体、積層体の製造方法、基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-173278   出願人：古河機械金属株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-134042   出願人：古河機械金属株式会社
• 結晶成長方法および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211951   出願人：松下電器産業株式会社
• p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264626   出願人：ソニー株式会社