特許
J-GLOBAL ID：201003036537837099
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-134042
公開番号（公開出願番号）：特開2010-030877
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】下地基板の無極性面上に高品質のIII族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】m面の無極性面を主面とする下地基板10の当該無極性面上に炭素とアルミニウムとを含む中間層11を形成する工程と、中間層11の少なくとも一部を窒化して窒化膜11Nを形成する工程と、窒化膜11Nの上部にIII族窒化物半導体層12,13をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体層12,13から下地基板10を剥離させてIII族窒化物半導体層12,13を含むIII族窒化物半導体基板14を得る工程と、を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地基板上に炭素とアルミニウムとを含む中間層を形成する工程と、
前記中間層の少なくとも一部を窒化して窒化膜を形成する工程と、
六方晶系のm面を成長面として有するIII族窒化物半導体層を前記窒化膜の上部にエピタキシャル成長させる工程と、
前記III族窒化物半導体層から前記下地基板を剥離させて前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、
を含む、III族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, C23C 16/01
, C23C 16/02
C30B29/38 D
, C30B25/18
, C23C16/34
, C23C16/01
, C23C16/02
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077EB01
, 4G077EF02
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TB05
, 4G077TC01
, 4G077TC02
, 4G077TC14
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC19
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA63
, 5F045HA06
, 5F045HA22
