誘電体膜をパッシベーションする方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木澤史彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-535250
公開番号（公開出願番号）：特表2013-508552
出願日： 2010年10月14日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

反応チャンバ内の基板にhigh-k層をパッシベーションする方法であって、前記反応チャンバ内にhigh-k層を有する基板を提供する工程であって、前記high-k層は、塩素、臭素又はヨウ素を含む化合物と反応しやすい材料を含む、工程と、フッ素を含む化学物質を前記反応チャンバに気相状態で提供し、フッ素を含む前記化学物質が前記high-k層と反応して、フッ素及びhigh-k材料からの金属を含むパッシベーション層を形成する工程と、を含む方法。

IPC (10件)：

C23C 16/02 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , H01L 21/285 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/105 , H01L 21/316

FI (9件)：

C23C16/02 , H01L27/04 C , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/285 C , H01L27/10 621Z , H01L27/10 625Z , H01L27/10 444C , H01L21/316 P

Fターム (63件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA13 , 4K030BA13 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG16 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038CD14 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA08 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BH01 , 5F058BH02 , 5F058BJ03 , 5F058BJ04 , 5F083AD15 , 5F083AD24 , 5F083FR00 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA17 , 5F083JA20 , 5F083JA31 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

ディープサブミクロントランジスタ技術用のhigh-k/金属ゲートスタックをパッシベートするためのFベースのゲートエッチングの使用
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-003462 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-082975 出願人：東京エレクトロン株式会社
多層誘電体スタックおよびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-020773 出願人：シャープ株式会社

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