処理装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082975
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296490
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】本発明は、処理中に容器から酸素の放出がなく、還元が重要な工程を被処理基体に対して施すために適した処理装置を提供することを課題とする。【解決手段】処理容器2内において、原料ガスの励起種を用いて半導体ウェハWの処理を行う。励起種を生成するための励起装置12は励起容器14を有し、励起容器14内で原料ガスを励起して励起種を生成する。励起容器14は窒化物により形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原料ガスの励起種を用いて被処理基体を処理するための処理容器と、該原料ガスを励起して励起種を生成し、生成した励起種を前記処理容器に供給する励起装置とを有し、前記励起装置は内部で原料ガス励起するため励起容器を有し、該励起容器を形成する材料は窒化物であることを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/285 , C23C16/44 , H01L21/31

FI (3件)：

H01L21/285 C , C23C16/44 B , H01L21/31 C

Fターム (28件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030KA08 , 4K030KA11 , 4K030KA46 , 4K030KA49 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045EB03 , 5F045EE04 , 5F045EE19 , 5F045EF05 , 5F045EH11 , 5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (8件)

チタン膜堆積用CVD装置および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-547641 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
成膜方法およびこれに用いるプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-016562 出願人：ソニー株式会社
特開平1-119029

全件表示

前のページに戻る