特許
J-GLOBAL ID：201303028271223188

半導体装置

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-185408
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239759
出願日： 2013年09月06日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】窒化珪素膜でCu配線を挟み込むことによりCuによりTFTが汚染されるのを防ぐ。【解決手段】結晶性半導体膜と、結晶性半導体膜上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上のゲート電極と、結晶性半導体膜及びゲート電極上の第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜に設けられた第1のコンタクト部を介して結晶性半導体膜に電気的に接続される第1の配線と、第1の層間絶縁膜及び第1の配線上の、第1の配線の一部を露出させた第2のコンタクト部が設けられた第1の窒化珪素膜及び第1の窒化珪素膜上の第2の層間絶縁膜と、第2のコンタクト部により露出させた第1の配線上に設けられたCuの拡散を防ぐバリア層と、第2のコンタクト部に設けられたバリア層上のCuでなる第2の配線と、第2の配線を被覆して設けられた第2の窒化珪素膜とを有する。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタを有する半導体装置において、 前記薄膜トランジスタはゲート電極と半導体膜を有し、 前記ゲート電極上に第1の窒化シリコン膜を有し、 前記第1の窒化シリコン膜上に銅を有する配線を有し、 前記配線上に第2の窒化シリコン膜を有し、 前記第1の窒化シリコン膜と前記第2の窒化シリコン膜は1×1021/cm3以下の濃度の水素を有し、 前記第1及び第2の窒化シリコン膜はNH4HF2を7.13%とNH4Fを15.4%を含有する溶液に対し、エッチングレートが10nm/min以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532
FI (4件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 P
Fターム (144件)：
5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033MM19 ,  5F033NN38 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ88 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS08 ,  5F033SS09 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14 ,  5F033XX19 ,  5F033XX28 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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