特許
J-GLOBAL ID：201303028570430637

ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
大橋 正樹

大橋 正樹 について

, 
佐々見 武志

佐々見 武志 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-234818
公開番号（公開出願番号）：特開2013-092657
出願日： 2011年10月26日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：
【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。【解決手段】(A)式(1-1)の化合物(B)式(1-2)で示される酸発生剤、(C)ベース樹脂、(D)有機溶剤を含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。(Arはアリール基。)(R1はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基。Arはアリール基。)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1-1)で示されるトリアリールスルホニウム=2,3,3,3-テトラフルオロ-2-(1,1,2,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロポキシ)プロパノアート、 (B)下記一般式(1-2)で示される酸発生剤の1種又は2種以上、 (C)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、 (D)有機溶剤 を必須成分として含有することを特徴とするArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (7件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C07C 381/12 ,  C07C 59/135 ,  C07C 309/12 ,  C08F 220/26 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C07C381/12 ,  C07C59/135 ,  C07C309/12 ,  C08F220/26 ,  H01L21/30 502R
Fターム (58件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF43P ,  2H125AF70P ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BP10 ,  4H006BS10 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03T ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA20S ,  4J100BA56T ,  4J100BB12T ,  4J100BB18T ,  4J100BC03P ,  4J100BC04S ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08S ,  4J100BC09T ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (3件)

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