特許
J-GLOBAL ID：201303029246873450
記憶素子およびその製造方法ならびに記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-146113
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016529
出願日： 2011年06月30日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】低電流動作に優れると共に良好な保持特性を有する記憶素子および記憶装置を提供する。【解決手段】本開示の記憶素子は、第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、記憶層は、第1電極側に設けられた抵抗変化層と、少なくとも1種の金属元素を含むと共に、第2電極側に設けられたイオン源層とを備え、イオン源層は、テルル(Te),硫黄(S)およびセレン(Se)のうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むと共に、抵抗変化層側に設けられた第1イオン源層と、第1イオン源層とはカルコゲン元素の含有量が異なると共に、第2電極側に設けられた第2イオン源層とからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、
前記記憶層は、
前記第1電極側に設けられた抵抗変化層と、
少なくとも1種の金属元素を含むと共に、前記第2電極側に設けられたイオン源層とを備え、
前記イオン源層は、テルル(Te),硫黄(S)およびセレン(Se)のうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むと共に、前記抵抗変化層側に設けられた第1イオン源層と、前記第1イオン源層とはカルコゲン元素の含有量が異なると共に、前記第2電極側に設けられた第2イオン源層とからなる
記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA21
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083LA21
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR33
, 5F083PR40
, 5F083ZA21
