特許
J-GLOBAL ID:201303029324338078

周期表第13族金属窒化物基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  香坂 薫 ,  下田 俊明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-041155
公開番号(公開出願番号):特開2013-177256
出願日: 2012年02月28日
公開日(公表日): 2013年09月09日
要約:
【課題】結晶表面近傍において結晶性が高い、周期表第13族金属窒化物基板を提供する。【解決手段】基板主面から基板厚み方向に侵入深さを変化させてX線ロッキングカーブの半値幅を測定した際に得られる、半値幅の極小値を(FWMH)imと定義し、周期表第13族金属窒化物完全結晶の動力学的回折理論から計算される半値幅の極小値を(FWMH)itと定義した際に、(FWMH)im/(FWMH)it≦1.25を満たすように、アズグロン結晶をスライスした後に研削および研磨を行う。これにより、基板表面から約112nmの位置に存在するX線ロッキングカーブの半値幅の極小値における完全結晶との差を小さくする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
周期表第13族金属窒化物基板に対し、基板主面から基板厚み方向に侵入深さを変化させてX線ロッキングカーブの半値幅を測定した際に得られる、該半値幅の極小値を(FWMH)imと定義し、 前記周期表第13族金属窒化物完全結晶の動力学的回折理論から計算される半値幅の極小値を(FWMH)itと定義した際に、 (FWMH)im/(FWMH)it≦1.25 を満たす、周期表第13族金属窒化物基板。
IPC (4件):
C30B 29/38 ,  G01N 23/207 ,  H01L 21/304 ,  H01L 33/32
FI (4件):
C30B29/38 D ,  G01N23/207 ,  H01L21/304 622P ,  H01L33/00 186
Fターム (34件):
2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001GA01 ,  2G001HA01 ,  2G001KA08 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA18 ,  2G001RA01 ,  2G001RA02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077FG11 ,  4G077GA05 ,  4G077HA12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CB19 ,  5F057AA19 ,  5F057BA12 ,  5F057BB06 ,  5F057BB07 ,  5F057BB08 ,  5F057BB09 ,  5F057CA11 ,  5F057CA27 ,  5F057DA03 ,  5F057DA11 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F141CA77
引用特許:
審査官引用 (3件)

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