特許
J-GLOBAL ID：201103037165585202

III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

発明者：
石橋 恵二

石橋 恵二 について

, 
善積 祐介

善積 祐介 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287970
公開番号（公開出願番号）：特開2011-073957
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.9×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の(0001)面または(000-1)面1cから<10-10>方向に10°以上80°以下で傾斜したIII族窒化物結晶基板1。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
III族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが1.9×10-3以下であり、 前記主表面の面方位が、前記結晶基板の(0001)面または(000-1)面から<10-10>方向に10°以上80°以下で傾斜しているIII族窒化物結晶基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/00 ,  G01N 23/207
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  H01S5/343 610 ,  H01S5/00 ,  G01N23/207
Fターム (30件)：
2G001AA01 ,  2G001AA03 ,  2G001BA08 ,  2G001BA09 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA08 ,  2G001GA13 ,  2G001KA01 ,  2G001KA08 ,  2G001KA12 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077FJ06 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP85 ,  5F173AR81 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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