III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287970
公開番号（公開出願番号）：特開2011-073957
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.9×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の(0001)面または(000-1)面1cから<10-10>方向に10°以上80°以下で傾斜したIII族窒化物結晶基板1。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが1.9×10-3以下であり、前記主表面の面方位が、前記結晶基板の(0001)面または(000-1)面から<10-10>方向に10°以上80°以下で傾斜しているIII族窒化物結晶基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01S 5/343 , H01S 5/00 , G01N 23/207

FI (4件)：

C30B29/38 D , H01S5/343 610 , H01S5/00 , G01N23/207

Fターム (30件)：

2G001AA01 , 2G001AA03 , 2G001BA08 , 2G001BA09 , 2G001BA18 , 2G001CA01 , 2G001CA03 , 2G001GA01 , 2G001GA08 , 2G001GA13 , 2G001KA01 , 2G001KA08 , 2G001KA12 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077AB08 , 4G077AB09 , 4G077FJ06 , 4G077GA06 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F173AH22 , 5F173AL04 , 5F173AL13 , 5F173AP05 , 5F173AP85 , 5F173AR81 , 5F173AR92

引用特許：

審査官引用 (7件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-077035 出願人：ローム株式会社
窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-183111 出願人：住友電気工業株式会社
特許第4305574号

全件表示

前のページに戻る