特許

J-GLOBAL ID：201103054406193965

III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 石橋 恵二 ,  善積 祐介 ,  美濃部 周吾
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287590
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129752
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶基板1は、III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、 前記主表面の面方位が、前記結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有するIII族窒化物結晶基板。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/343 ,  C30B 29/38

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610 ,  C30B29/38 D

Fターム (75件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB07 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB06 ,  4G077GA05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045GB01 ,  5F045GB11 ,  5F045GH03 ,  5F045GH06 ,  5F045GH10 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL12 ,  5F152LN05 ,  5F152LP09 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AA01 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR84

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-183111   出願人：住友電気工業株式会社
• 特許第4305574号
  
• III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-127730   出願人：住友電気工業株式会社
• 特許第4333820号
  
• GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132035   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物自立基板およびそれを用いた半導体素子ならびにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-360030   出願人：日本電気株式会社