特許
J-GLOBAL ID:201103054406193965

III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-287590
公開番号(公開出願番号):特開2011-129752
出願日: 2009年12月18日
公開日(公表日): 2011年06月30日
要約:
【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶基板1は、III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有する。【選択図】図6
請求項(抜粋):
III族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、 前記主表面の面方位が、前記結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有するIII族窒化物結晶基板。
IPC (5件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/343 ,  C30B 29/38
FI (5件):
H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610 ,  C30B29/38 D
Fターム (75件):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB07 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB06 ,  4G077GA05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045GB01 ,  5F045GB11 ,  5F045GH03 ,  5F045GH06 ,  5F045GH10 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL12 ,  5F152LN05 ,  5F152LP09 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AA01 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR84
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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