特許

J-GLOBAL ID：201303029580755816

発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置

発明者： 田中 暁士 ,  鈴木 貴人 ,  田中 慎太郎
出願人/特許権者： 株式会社沖データ ,  株式会社沖デジタルイメージング
代理人 (3件)： 前田 実 ,  山形 洋一 ,  篠原 昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-212825
公開番号（公開出願番号）：特開2013-074171
出願日： 2011年09月28日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：

【課題】半導体発光素子からの放熱性が高い発光装置を提供する。【解決手段】発光装置11は、AuGeNi層21を含むカソード配線9と、AuGeNi層21の表面上に分子間力により接合され、カソード配線9と電気的に接続された半導体発光素子10とを有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

AuGeNi層を含む配線と、 前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、前記配線と電気的に接続された半導体発光素子と、 を有することを特徴とする発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/62 ,  H01L 33/64 ,  G09F 9/33

FI (3件)：

H01L33/00 440 ,  H01L33/00 450 ,  G09F9/33 Z

Fターム (18件)：

5C094AA35 ,  5C094BA23 ,  5C094DA11 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA10 ,  5C094ED11 ,  5C094FB12 ,  5F041AA33 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-057391   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229728   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348032   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-136326   出願人：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体用オーム接触の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-061459   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 特開平3-135017
  

審査官引用 (2件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-057391   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229728   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング