特許
J-GLOBAL ID：200903018732798147
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136326
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320128
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 電気的かつ光学的に効率の高いpin構造の半導体レーザを提供すること。【解決手段】 n型のInP基板上1にSiドープn型Al0.15Ga0.32In0.53Asバッファ層2を0.2μm、Siドープn型Al0.48In0.52As層3を1μm成長し、ノンドープAl0.27-0.34Ga0.20-0.13In0.53As傾斜層を50nmを成長した後、Al0.07Ga0.25In0.68As層8nm/Al0.27Ga0.20In0.53As層10nm5ペアからなる量子井戸活性層4、ノンドープAl0.27-0.34Ga0.20-0.13In0.53As傾斜層を50nmを成長し、引き続き炭素ドープp型AlAs0.56Sb0.44層5を1μm、炭素ドープp型GaAs0.51Sb0.49層6を50nmを成長してなる。
請求項（抜粋）：
Al1-x-yGayInxAs(x>0.4)あるいはGa1-xInxAsyP1-y(x>0.4)をn型層とし、Sbを含むAlxGa1-xAs1-ySby(y>0.4)をp型層として活性層を挟むことを特徴とした半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F073AA46
, 5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA15
, 5F073CA17
, 5F073CB07
, 5F073CB08
, 5F073CB19
, 5F073DA23
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073DA35
, 5F073EA23
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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