半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：奥田誠司 , 喜多修市 , 岡部英隆 , 三宅章子 , 山口美里
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-545556
特許番号：特許第4928651号
出願日： 2011年08月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型窒化物半導体層と、 p型窒化物半導体層と、 m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取り出す出射面と、前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造と、を備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：