特許
J-GLOBAL ID：201303030025978573
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-125929
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175797
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】エッチングレートのプロファイルを制御でき、処理容器等がエッチングされることに起因するパーティクルの発生を抑制できる技術を提供すること。【解決手段】クリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより処理容器内2に付着した付着物を除去するクリーニング工程(a)と、炭素とフッ素とを含む成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内部における前記プラズマに晒される部位にCF膜を成膜する成膜工程(b)と、次いで前記処理容器内の載置台にウエハWを載置し、エッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記ウエハWに対してエッチングするエッチング工程(c)と、このエッチング工程(c)の後に前記処理容器からウエハWを搬出する工程(d)と、を実施するにあたり、前記(d)が終了した後、前記(a)〜(d)を行なう。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
処理容器内にクリーニングガスを供給し、このクリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記処理容器内に付着した付着物を除去するクリーニング工程(a)と、
次いで前記処理容器内に、炭素とフッ素と水素とを組成とする成膜ガスを供給し、この成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を成膜する成膜工程(b)と、
次いで前記処理容器内の載置台に基板を載置し、当該処理容器内にエッチングガスを供給して、このエッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記基板に対してエッチングするエッチング工程(c)と、
このエッチング工程(c)の後に前記処理容器から基板を搬出する工程(d)と、を含み、
前記基板を搬出する工程(d)が終了した後、前記工程(a)〜(d)が行われ、
前記基板における被エッチング膜は、前記成膜工程(b)を行わないときには、前記エッチング工程(c)において、基板の中央よりも外縁領域のエッチングレートが高くなる膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F004AA01
, 5F004AA15
, 5F004BA09
, 5F004BB28
, 5F004BB30
, 5F004DA00
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F004DB07
, 5F004DB23
, 5F004EA28
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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