特許

J-GLOBAL ID：201303031472047656

原子層成長方法及び原子層成長装置

発明者： 鷲尾 圭亮 ,  村田 和俊
出願人/特許権者： 三井造船株式会社 ,  エム・イー・エス・アフティ株式会社
代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-160380
公開番号（公開出願番号）：特開2013-026479
出願日： 2011年07月21日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第1ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第1ガスを排気した後、酸化ガスを第2ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

原子層成長方法であって、 成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させる第1ステップと、 前記基板に有機金属を吸着させた後、前記有機金属に対して化学反応しない第1ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを発生させる第2ステップと、 前記第1ガスを排気した後、酸化ガスを第2ガスとして前記成膜空間に導入して前記第2ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化した金属酸化膜を形成する第3ステップと、を有することを特徴とする原子層成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/40

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/40

Fターム (43件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE19 ,  5F045EH13 ,  5F045EK06 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-254746   出願人：株式会社日立国際電気
• 電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-510056   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 絶縁膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-116389   出願人：エルピーダメモリ株式会社