特許
J-GLOBAL ID：200903067695534224

絶縁膜及びその形成方法

発明者：
清村 貴利

清村 貴利 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116389
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288084
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】 薄膜化されたゲート絶縁膜として高誘電率材料が使用されている。しかしゲート絶縁膜として要求されるボロンもれの抑制、界面準位密度増加の抑制、固定電荷発生の抑制、リーク電流増加の抑制などの特性を満足するゲート絶縁膜が得られていないという問題がある。【解決手段】 本発明におけるゲート絶縁膜の形成は、絶縁膜の表面側に窒素原子分率のピーク値を有する高誘電率膜に、プラズマ酸化を行う。プラズマ酸化はシリコン基板界面近くの絶縁膜中にその酸素原子分率のピーク値を有するように形成する。この形成方法によりシリコン基板界面側には窒素が存在しない、酸化膜のみの領域とする。さらに酸素と窒素の原子分率のピーク位置を異ならせることで高品質の絶縁膜が得られる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
窒素と酸素を含有する絶縁膜において、前記絶縁膜の膜中に酸素の原子分率と窒素の原子分率のピーク値を有し、前記窒素の原子分率のピーク値を示す窒素の原子分率ピーク位置は前記絶縁膜の中の表面側にあり、前記酸素の原子分率のピーク値を示す酸素の原子分率ピーク位置は前記窒素の原子分率ピーク位置より半導体基板界面側にあることを特徴とする絶縁膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G
Fターム (56件)：
5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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