特許

J-GLOBAL ID：200903073820581426

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法

発明者： シュア, タイ, チェン ,  クザルニク, コリー ,  ヘゲドゥス, アンドレアス, ジー. ,  オルセン, クリストファー ショーン ,  アハメド, クハレド ズィー. ,  クラウス, フィリップ アラン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-510056
公開番号（公開出願番号）：特表2009-536459
出願日： 2007年05月02日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を提供する。一実施形態において、前記方法は、自然酸化物層を除去するステップと、酸化物層を形成するステップと、酸化物層の上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に酸化物層を形成するステップと、層と下に横たわる熱酸化物/シリコン接合部をアニールするステップとを含む。所望により、ゲート誘電体層を形成する前に、酸化物層を窒化してもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に酸化物層を堆積させることによって形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電界トランジスタのゲート誘電体の製造方法であって: (a)シリコン基板を準備するステップと; (b)該シリコン基板から自然酸化物層を除去するステップと; (c)該シリコン基板上に第一酸化物層を形成するステップと; (d)該第一酸化物層上にゲート誘電体層を形成するステップと; (e)該ゲート誘電体層上に第二酸化物層を形成するステップと; (f)該ゲート誘電体層と、該第一酸化物層と、該第一酸化物層と該シリコン基板の間の接合部とをアニールするステップと; を含む、前記方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/318 M ,  H01L21/316 M

Fターム (33件)：

5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF62 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 絶縁層及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-125720   出願人：日本電信電話株式会社
• シリコンゲートFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325579   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 絶縁膜の形成方法および形成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-260179   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207607   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109215   出願人：富士電機株式会社