特許
J-GLOBAL ID：201303034401280618

高電圧垂直トランジスタのためのセグメントピラーレイアウト

発明者：
ヴィジェイ パルタサラティー

ヴィジェイ パルタサラティー について

, 
ウェイン ブライアン グラボウスキー

ウェイン ブライアン グラボウスキー について


出願人/特許権者：
パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド

パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022107
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080984
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：
【課題】半導体デバイス構造及び高電圧トランジスタを作製するためのプロセスに関する。【解決手段】一実施形態として、半導体ダイ上に作製されたトランジスタは、半導体ダイの第1エリアに配置されたトランジスタセグメントの第1セクションと、半導体ダイの第1エリアに隣接した第2エリアに配置されたトランジスタセグメントの第2セクションとを含む。第1及び第2セクション内のトランジスタセグメントの各々は、垂直方向に延びる半導体材料のピラーを含む。第1及び第2誘電領域がピラーの両側に配置される。第1及び第2フィールドプレートが第1及び第2誘電領域にそれぞれ配置される。第1及び第2セクションに隣接するトランジスタセグメントの外側フィールドプレートは分離されるか又は部分的に併合される。この要約は、サーチャ又は他の閲覧者が本開示の対象を迅速に調査できるようになる要約を必要とする規則に適合するように提供された。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
各々が、ダイ上に設けられ、第1の横方向に延びる長さ及び第2の横方向に延びる幅を備えたレーストラック形状を有する、複数のトランジスタセグメントを具備する装置であって、 前記トランジスタセグメントの各々が、 前記ダイを通って垂直方向に延びる拡張したドレイン領域を含む半導体材料のピラーと、 前記ピラーの対向する側にそれぞれ配置された第1の誘電領域及び第2の誘電領域と、を含み、 前記第1の誘電領域は横方向において前記ピラーにより囲まれ、前記第2の誘電領域は横方向において前記ピラーを囲み、 さらに、前記トランジスタセグメントの各々は、 前記第1の誘電領域及び前記第2の誘電領域のそれぞれに配置された第1のフィールドプレート及び第2のフィールドプレートと、を含み、 前記複数のトランジスタセグメントは、複数のセクションに分けられており、 該複数のセクションにおける第1のセクションは、前記第2の横方向において並列関係に配置されたトランジスタセグメントの第1の行を含み、 前記複数のセクションにおける第2のセクションは、前記第2の横方向において並列関係に配置されたトランジスタセグメントの第2の行を含む、ことを特徴とする装置。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652S
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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