特許
J-GLOBAL ID：201303035728369465

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009744
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175715
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に、ゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に導電膜を形成するとともに、導電膜と接する酸化物半導体膜の界面近傍の領域を非晶質化し、加熱処理を行った後、導電膜を加工することで、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、ソース電極層およびドレイン電極層を形成することによって露出した、酸化物半導体膜の非晶質化された領域を除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられたゲート電極層と、 前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上に設けられたソース電極層およびドレイン電極層と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、非単結晶であって結晶部および非晶質部を有し、 前記酸化物半導体膜において、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層との界面近傍の第1の領域では、前記非晶質部に対して前記結晶部の占める割合が、前記第1の領域以外の第2の領域よりも低い半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 27/146 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (14件)：
H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/14 C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (170件)：
2H092GA29 ,  2H092GA43 ,  2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB22 ,  4M118GA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG36 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM