特許
J-GLOBAL ID：201203096817094501

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-105570
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258939
出願日： 2011年05月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第1の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第2の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第1の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、 前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、 前記水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、 前記酸素原子が供給された前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、 前記酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体膜上に接して、第2の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (10件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/265 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (12件)：
H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 617T ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/265 F ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (121件)：
2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083LA02 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD39 ,  5F101BF01 ,  5F101BF03 ,  5F101BH16 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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