特許
J-GLOBAL ID：201303036044295310

金属格子の製造方法、金属格子およびX線撮像装置

発明者：
横山 光

横山 光 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタエムジー株式会社

コニカミノルタエムジー株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  小谷 昌崇 ,  櫻井 智
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-270088
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122487
出願日： 2011年12月09日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】本発明は、シリコン(Si)基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法、金属格子およびX線撮像装置を提供する。【解決手段】金属格子DGは、第1Si部分11とこの上に形成され第2Si部分12aおよび金属部分12bを交互に平行に配設した格子12とを備え、第2Si部分12aは、金属部分12bとの間に第1絶縁層12cを有し、その頂部に第2絶縁層12dを有している。金属格子DGの製造方法では、シリコン基板上にレジスト層が形成され、これがリソグラフィー法でパターニングして除去され、所定のエッチング法で除去部分を所定の深さHまでエッチングしつつ前記除去部分よりも幅広にエッチングして凹部(例えばスリット溝等)が形成され、この凹部の内表面に絶縁層が形成され、凹部の底部の絶縁層が除去され、そして、電鋳法で凹部が金属で埋められる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、 前記レジスト層をパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、 所定のエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記シリコン基板をエッチングして所定の深さの凹部を形成するエッチング工程と、 前記シリコン基板における前記凹部を形成した側の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 前記凹部の底部に形成された前記絶縁層の部分を除去する除去工程と、 電鋳法によって、前記シリコン基板に電圧を印加して前記凹部を金属で埋める電鋳工程とを備え、 前記エッチング工程は、前記パターニング工程後に残留している前記レジスト層の下部内側におけるシリコン基板もエッチングすること を特徴とする金属格子の製造方法。
IPC (6件)：
G02B 5/18 ,  G01N 23/04 ,  A61B 6/00 ,  A61B 6/06 ,  C25D 1/00 ,  C25D 1/10
FI (6件)：
G02B5/18 ,  G01N23/04 ,  A61B6/00 330Z ,  A61B6/06 370 ,  C25D1/00 381 ,  C25D1/10
Fターム (19件)：
2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001EA01 ,  2G001GA12 ,  2G001HA13 ,  2H249AA03 ,  2H249AA13 ,  2H249AA33 ,  2H249AA37 ,  2H249AA42 ,  2H249AA46 ,  2H249AA50 ,  2H249AA58 ,  2H249AA65 ,  4C093AA07 ,  4C093AA14 ,  4C093EB22
引用特許：
審査官引用 (8件)
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