特許
J-GLOBAL ID：201303036124644561
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造される周期表第13族金属窒化物半導体結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
川口 嘉之
, 高田 大輔
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
, 香坂 薫
, 下田 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231353
公開番号（公開出願番号）：特開2013-100220
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、O濃度よりもSi濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上にエピタキシャル成長させて得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶であって、結晶内のSi濃度がO濃度よりも高いことを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077CC02
, 4G077CG06
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EC02
, 4G077EC09
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG02
, 4G077EG05
, 4G077EG14
, 4G077GA01
, 4G077GA02
, 4G077GA03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077LA01
, 4G077LA05
