半導体装置、および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210014
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084941
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第2の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第2の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第1の金属酸化物層および第2の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極および、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極を有するトランジスタと、前記トランジスタ上の絶縁層と、前記絶縁層と接する金属酸化物層と、を有する構造であり、前記金属酸化物層は、アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層と多結晶構造を有する第2の金属酸化物層と、を少なくとも含む積層構造であることを特徴とする、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L21/316 M

Fターム (92件)：

5F058BA07 , 5F058BB06 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BF20 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ03 , 5F110AA14 , 5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-029799 出願人：富士フイルム株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-273153 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-158172

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