特許

J-GLOBAL ID：201003081438018103

電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 板井 雄一郎
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-029799
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186860
出願日： 2009年02月12日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】非晶質酸化物を含む活性層を有する電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法において、活性層への水分や酸素の影響が抑制されると共に閾値シフトの改善された電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタ10において、非晶質無機材料からなる保護層24を、活性層18の少なくともソース電極20Aとドレイン電極20Bとの電極間に対応する領域を覆うように配置し、且つ該保護層24のバンドギャップが活性層18のバンドギャップより大きい保護層24とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、非晶質酸化物を含む活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、少なくとも前記活性層を保護し非晶質無機材料からなる保護層と、を備え、 前記保護層は、前記活性層の少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との電極間に対応する領域を覆うように配置され、バンドギャップが前記活性層より大きいことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 Y

Fターム (88件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5F058BA07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF12 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL08 ,  5F103NN04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-050004   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-107808   出願人：松下電器産業株式会社
• ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-273863   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-046233   出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社
• 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-231101   出願人：富士フイルム株式会社