特許
J-GLOBAL ID：201303036722257777
磁気センサ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-203972
公開番号（公開出願番号）：特開2013-064666
出願日： 2011年09月19日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】1つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、着磁による熱拡散の影響を低減する。【解決手段】基板10の一面11の上方に各磁気抵抗素子部50を形成する。次に、基板10のうち各磁気抵抗素子部50に対応する部分に溝13を形成して空間部14を形成する。この後、磁場の向きが第1の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部50が形成された基板10を配置し、一方の磁気抵抗素子部50を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部50のピン磁性層51の磁化の向きを第1の方向に着磁する。また、磁場の向きを第1の方向とは異なる第2の方向に設定した磁場中において、他方の磁気抵抗素子部50を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部50のピン磁性層51の磁化の向きを第2の方向に着磁する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
一面(11)を有する基板(10)と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層(53)と、磁化の向きが固定されたピン磁性層(51)と、を有し、前記基板(10)の一面(11)の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部(50)と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部(50)には前記基板(10)の一面(11)に平行な面方向において前記ピン磁性層(51)の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部(50)が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部(50)の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板(10)を用意する工程と、
前記基板(10)の一面(11)の上方に前記各磁気抵抗素子部(50)を形成する素子部形成工程と、
前記基板(10)のうち前記各磁気抵抗素子部(50)に対応する部分に、当該部分の前記基板(10)の厚みを当該部分と異なる部分の基板(10)の厚みよりも薄くする空間部(14)を形成する空間部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第1の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部(50)が形成された前記基板(10)を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部(50)のうちの一部を局所的に加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部(50)を構成するピン磁性層(51)の磁化の向きを前記第1の方向に着磁する第1着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第1の方向とは異なる第2の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部(50)が形成された前記基板(10)を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部(50)の一部とは異なる一部を局所的に加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部(50)を構成するピン磁性層(51)の磁化の向きを前記第2の方向に着磁する第2着磁工程と、を含んでいることを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
IPC (3件)：
G01R 33/09
, H01L 43/12
, H01L 43/08
G01R33/06 R
, H01L43/12
, H01L43/08 Z
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB04
, 5F092BB81
, 5F092BB82
, 5F092BC04
, 5F092BC42
, 5F092CA08
, 5F092CA23
, 5F092CA26
