特許
J-GLOBAL ID:201303037173490363

電解質膜-電極接合体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-052026
公開番号(公開出願番号):特開2013-187073
出願日: 2012年03月08日
公開日(公表日): 2013年09月19日
要約:
【課題】ドライアウト耐性とフラッディング耐性とを両立できるガス拡散層を提供する。【解決手段】高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜の一方の側に順次配置された、カソード触媒層ならびにカソード微細多孔質層およびカソードガス拡散層基材を有するカソードガス拡散層と、前記高分子電解質膜の他方の側に順次配置された、アノード触媒層ならびにアノード微細多孔質層およびアノードガス拡散層基材を有するアノードガス拡散層と、を、有する電解質膜-電極接合体であって、前記アノード微細多孔質層の相対ガス拡散係数が前記カソード微細多孔質層の相対ガス拡散係数より0.05[-]以上小さいことを特徴とする、電解質膜-電極接合体。【選択図】図1
請求項(抜粋):
高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜の一方の側に順次配置された、カソード触媒層ならびにカソード微細多孔質層およびカソードガス拡散層基材を有するカソードガス拡散層と、前記高分子電解質膜の他方の側に順次配置された、アノード触媒層ならびにアノード微細多孔質層およびアノードガス拡散層基材を有するアノードガス拡散層と、を有する電解質膜-電極接合体であって、 前記アノード微細多孔質層の相対ガス拡散係数が前記カソード微細多孔質層の相対ガス拡散係数より0.05[-]以上小さいことを特徴とする、電解質膜-電極接合体。
IPC (3件):
H01M 8/02 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/10
FI (3件):
H01M8/02 E ,  H01M4/86 M ,  H01M8/10
Fターム (8件):
5H018AA06 ,  5H018CC06 ,  5H018DD10 ,  5H018HH00 ,  5H018HH03 ,  5H018HH05 ,  5H026AA06 ,  5H026CX05
引用特許:
審査官引用 (7件)
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