特許
J-GLOBAL ID:201303037364894944
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 大内 秀治
, 仲宗根 康晴
, 坂井 志郎
, 山野 明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-139000
公開番号(公開出願番号):特開2013-008757
出願日: 2011年06月23日
公開日(公表日): 2013年01月10日
要約:
【課題】伝導ノイズ及び放射ノイズをさらに低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置16では、絶縁基板80上に設けられた凸状の絶縁部材102を介してアーム直列回路30の出力端子78が絶縁基板80の上方に配置され、上アームのスイッチング素子34の正極電極はアーム直列回路の正極端子70、負極電極は出力端子78、制御電極は制御端子74に接続される。下アームのスイッチング素子40の負極電極はアーム直列回路の負極端子72、正極電極は出力端子78、制御電極は制御端子76に接続される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備える半導体装置であって、
グラウンド上に絶縁基板が配置され、
前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が形成され、前記負極端子と前記下アーム用制御端子が隣り合って配置され、
前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が配置され、
前記上アーム及び前記下アームの前記スイッチング素子は、第1の面に形成された正極電極と、前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された負極電極及び制御電極とを備え、
前記上アームの前記スイッチング素子では、前記正極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の正極端子に接合され、前記負極電極が負極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が制御用配線を介して前記アーム直列回路の前記上アーム用制御端子に接続され、
前記下アームの前記スイッチング素子では、前記負極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の負極端子に接合され、前記正極電極が正極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の前記下アーム用制御端子に接合される
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5H007AA01
, 5H007BB06
, 5H007CA02
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007DB01
, 5H007HA03
, 5H007HA04
引用特許:
出願人引用 (4件)
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スイッチングモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-137999
出願人:富士電機ホールディングス株式会社
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電力変換装置のパワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-173510
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
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パワー半導体モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-332461
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
-
パワー半導体モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-286084
出願人:ゼミクロンエレクトローニクゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー
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審査官引用 (4件)
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スイッチングモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-137999
出願人:富士電機ホールディングス株式会社
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電力変換装置のパワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-173510
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
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パワー半導体モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-332461
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
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パワー半導体モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-286084
出願人:ゼミクロンエレクトローニクゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー
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