内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩 , 鈴木信彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-223233
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012781
出願日： 2012年10月05日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】本発明は、その効率を上げるためにLEDの上あるいは内部に光取出し構造体(26)を有する新規のLEDを提供する。【解決手段】新規の光取出し構造体(26)は、光がパッケージへと出て行くのにより有利な方向に光を反射、屈折あるいは散乱させる表面を提供する。この光取出し構造体は、光取出し要素(42、44、46、48、50、52)のアレイあるいは分散体層(112、122、134、144、152、162)を備えている。光取出し要素は、様々な形状でありうるし、従来のLEDを超えてLEDの効率を増加させるために多くの位置に配置される。分散体層は光に散乱源を提供し、また同じように多くの位置にそれを配置することができる。光取出し要素アレイをもつ新規のLEDは、それらの生産性を高くする標準的な加工技術で、標準的なLEDと同様のコストで製造される。分散体層をもつ新規のLEDは新規の方法で製造され、また生産性が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光取出しを向上させる構造体を有する発光ダイオード(LED)であって、エピタキシャル成長させたp型層(14)と、エピタキシャル成長させたn型層(15)と、前記p型層(14)および前記n型層(15)の間のエピタキシャル成長させた活性層(13)とを備えた発光ダイオード構造体(12)と、該発光ダイオード構造体(12)に隣接する第1スプレッダ層(16)と、前記発光ダイオード構造体(12)に隣接し、前記第1スプレッダ層(16)の反対側の第2スプレッダ層(20)と、前記発光ダイオードと一体化されて配置された光取出し構造体(26)を備え、前記光取出し構造体が、前記発光ダイオード内に捕捉された光が分散、反射および/または屈折して前記発光ダイオードから出て行くことを可能にする表面を備えたことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/22 , H01L 33/32 , H01L 33/10

FI (3件)：

H01L33/00 172 , H01L33/00 186 , H01L33/00 130

Fターム (11件)：

5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA40 , 5F141CA64 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA74 , 5F141CA88 , 5F141CA92 , 5F141CB15 , 5F141CB36

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-093117 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320372 出願人：三洋電機株式会社
特開昭64-030277

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