発光ダイオード

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-262634
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118378
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

【課題】本発明は、光出射率が高い発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、複数の三次元ナノ構造体と、第一電極及び第二電極と、を含む。複数の三次元ナノ構造体が、第一半導体層、活性層、第二半導体層の何れか一層、二層或いは三層の表面に、一次元アレイの形式によって設置され、三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部を含み、第一突部と第二突部とは互いに並列して、同じ方向で延伸し、三次元ナノ構造体の第一突部と第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、第二溝の深度は第一溝の深度より深い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、第一半導体層と、活性層と、第二半導体層と、第一電極及び第二電極と、を含む発光ダイオードであって、第一半導体層が、対向する第一表面及び第二表面を有し、第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、基板から離れる方向に沿って、基板の第一表面に順に積層され、第一電極が、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第二半導体層の活性層と離れる表面が、発光ダイオードの光出射面であり、複数の三次元ナノ構造体が、第一半導体層、活性層、第二半導体層の何れか一層、二層或いは三層の表面に、一次元アレイの形式によって設置され、各々の三次元ナノ構造体が、一つの第一突部と一つの第二突部とを含み、該第一突部と第二突部とが、互いに並列して、同じ方向に延伸し、各々の三次元ナノ構造体の第一突部と第二突部との間には、一つの第一溝が形成され、各々の隣接する二つの三次元ナノ構造体の間には、一つの第二溝が形成され、第二溝の深度が、第一溝の深度より深いことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 33/24 , B82B 1/00 , H01L 21/205 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L33/00 174 , B82B1/00 , H01L21/205 , H01L21/302 105A

Fターム (51件)：

5F004AA04 , 5F004AA09 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB19 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045EB15 , 5F045HA16 , 5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA10 , 5F141CA12 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA74 , 5F141CA77 , 5F141CA83 , 5F141CA84 , 5F141CA85 , 5F141CA86 , 5F141CA87 , 5F141CA98 , 5F141CB15 , 5F141CB36 , 5F141FF01 , 5F141FF11 , 5F141FF16

引用特許：

審査官引用 (7件)

III族窒化物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-111947 出願人：豊田合成株式会社
多重パターン構造を有する半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-121093 出願人：三星電機株式会社, 財団法人ソウル大学校産学協力財団
オプトエレクトロニクス半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-239993 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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