特許
J-GLOBAL ID：200903057075021132
III族元素窒化物半導体発光デバイス及びその作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-290816
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124149
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】 低コスト、高発光効率、及び上述した従来技術の欠点の全てを排除するための実施の容易さを確保できる、半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】 発光ダイオード40は、基板41,バッファ層42,n型半導体層43,コンフォーメーション活性層44及びp型半導体層45を有する。n型半導体層43は第1の面及び第2の面を有し、第1の面はバッファ層42に直接に接する。第2の面は複数のリセス431を有し、コンフォーメーション活性層44が第2の面上で複数のリセス431内に形成される。p型電極46がp型半導体層45上に形成されて、n型電極47がn型半導体層43上に形成される。したがって、n型半導体層43とコンフォーメーション活性層44の間の応力はリセス431によって解放され得る。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板、
第1の面及び第2の面を有する第1の型の半導体層であって、前記第1の面が前記基板に接し、前記第2の面が複数のリセスを有し、前記第1の面と表裏をなす、第1の型の半導体層、
前記複数のリセス内で前記第2の面上に形成されたコンフォーメーション活性層、及び
前記コンフォーメーション活性層上に形成された第2の型の半導体層、
を有することを特徴とするIII族元素窒化物半導体発光デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA40
