特許
J-GLOBAL ID：201303038703245159
逆阻止型IGBTを逆並列に接続した双方向IGBT
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-257341
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076017
特許番号：特許第4788028号
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型ベース層と、該第1導電型ベース層の表面に選択的に形成された第2導電型ベース層と、該第2導電型ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型ソース層と、前記第1導電型ベース層と前記第1導電型ソース層に挟まれた前記第2導電型ベース層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1導電型ソース層と第2導電型ベース層に接触して形成された第1主電極と、前記第1導電型ベース層の裏面に形成された第2導電型コレクタ層と、該コレクタ層上に形成された第2主電極と、前記第1導電型ベース層の外周部表面を取り囲むように形成された第2導電型の第1半導体層と、該第1半導体層に接し、前記第2導電型コレクタ層と接する第2導電型の第2半導体層を備えた耐圧構造を具備し、順阻止耐圧と同等の逆阻止耐圧を有する逆阻止型IGBTを逆並列に接続した双方向IGBTにおいて、一方の逆阻止型IGBTのゲート電極に正の電圧を印加してゲートを常時オン状態とし、第1導電型ベース層と第2導電型コレクタ層を逆阻止耐圧を有するPNダイオードとして動作させる際の第1導電型ベース層のキャリア濃度を小さくするためのライフタイムキラーを第1導電型ベース層と第2導電型コレクタ層の接合近傍にヘリウムイオンもしくは水素イオンの照射によって局在化させることを特徴とする逆阻止型IGBTを逆並列に接続した双方向IGBT。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
H01L 29/78 658 H
, H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 657 A
, H01L 29/78 656 A
, H01L 27/08 102 A
