特許
J-GLOBAL ID：201303038726413857

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-165412
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055329
出願日： 2012年07月26日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：
【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第3族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第3族元素は安定剤として機能する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インジウム、イットリウム、及び亜鉛を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層、ゲート絶縁膜、ソース電極層、ドレイン電極層、及びゲート電極層を有し、 前記イットリウムは安定化剤として機能することを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08
FI (9件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 621Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 331E
Fターム (159件)：
5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC05 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN13 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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