特許
J-GLOBAL ID：201003048167966356
アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068707
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212696
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。【解決手段】組成が、式[Sn1-xM4xO2]a・[(In1-yM3y)2O3]b・[Zn1-zM2zO]c(ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、かつx、y、zは同時に1ではなく、0≦a≦1、0<b≦1、0≦c≦1、かつa+b+c=1)、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が0.1cm2/(V・秒)以上、かつ電子キャリヤ濃度が1018/cm3未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
組成が、式[Sn1-xM4xO2]a・[(In1-yM3y)2O3]b・[Zn1
-zM2zO]c(ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、かつx、y、zは同
時に1ではなく、0≦a≦1、0<b≦1、0≦c≦1、かつa+b+c=1、M4はS
i,Ge,またはZrうちから選ばれる少なくとも1種類の元素、M3はB,Al,Ga
,Y、またはLuうちから選ばれる少なくとも1種類の元素、M2は、MgまたはCaう
ちから選ばれる少なくとも1種類の元素)で示される酸化物薄膜の気相成膜方法において
、
該酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、電気抵
抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに、酸素ガスを含む雰囲気中の
酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、
室温での電子移動度が0.1cm2/(V・秒)以上、かつ電子キャリヤ濃度が1018
/cm3未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を成膜することを特徴と
するアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/363
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 14/08
H01L21/363
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
, C23C14/08
4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BB10
, 4K029CA02
, 4K029CA06
, 4K029DA03
, 4K029DB05
, 4K029DB17
, 4K029DB20
, 4K029DC05
, 4K029DC35
, 4K029FA04
, 4K029JA02
, 5F103AA08
, 5F103AA10
, 5F103BB06
, 5F103BB16
, 5F103BB22
, 5F103BB27
, 5F103BB33
, 5F103BB36
, 5F103BB38
, 5F103BB49
, 5F103BB55
, 5F103BB60
, 5F103DD30
, 5F103GG03
, 5F103HH01
, 5F103HH04
, 5F103LL13
, 5F103NN01
, 5F103NN04
, 5F103RR05
, 5F110AA01
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110HK02
, 5F110HK08
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110QQ14
