特許
J-GLOBAL ID：201303038730288579

半導体装置及び配線

発明者：
藤井 照幸

藤井 照幸 について

, 
花岡 一哉

花岡 一哉 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-169488
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243408
出願日： 2013年08月19日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止することを課題とする。【解決手段】アンテナ101と集積回路100が一体形成された半導体装置において、アンテナ101として銅めっき層を用いるとともに、そのシード層107としてAg、Pd及びCuの合金を用い、バリア層116としてTiN又はTiを用いるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アンテナと集積回路が一体形成された半導体装置であって、 前記アンテナが、 チタンを含むバリア層と、 前記バリア層の上に形成された銀、銅及びパラジウムの合金からなるシード層と、 前記シード層の上に形成された銅めっき層と、を有する半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077
FI (4件)：
H01L21/88 R ,  H01L27/04 L ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K
Fターム (49件)：
5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033VV08 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28 ,  5F038AZ04 ,  5F038BB04 ,  5F038BG03 ,  5F038BG04 ,  5F038CD12 ,  5F038CD18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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