特許
J-GLOBAL ID：200903029160091464

半導体装置およびその製造方法

発明者：
國嶋 浩之

國嶋 浩之 について

, 
竹脇 利至

竹脇 利至 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198432
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040022
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】銅含有金属配線を含む半導体装置の歩留を向上させる。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜12および第一のHSQ膜14aに配線溝を形成し、基板全面にタンタル系バリアメタル膜24aを形成する。その後、配線溝の一部を埋め込むように、シード銅含有金属膜60およびめっき銅膜62を形成する。次いで、めっき銅膜62上に、配線溝の他の部分を埋め込むようにバイアススパッタ銅含有金属膜64を形成し、熱処理を行う。これにより、バイアススパッタ銅含有金属膜64に含まれる異種金属がめっき銅膜62に均一に拡散する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、 前記凹部の一部を埋め込むように、第一の金属膜を形成する工程と、 前記第一の金属膜上に、前記凹部の他の部分を埋め込むように第二の金属膜を形成する工程と、 前記第一の金属膜および前記第二の金属膜を熱処理する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/90 A
Fターム (26件)：
5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK12 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033LL02 ,  5F033LL07 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033XX06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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