特許
J-GLOBAL ID:201303039084876323
センサ装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中野 雅房
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-043380
公開番号(公開出願番号):特開2013-180345
出願日: 2012年02月29日
公開日(公表日): 2013年09月12日
要約:
【課題】センサ部と回路部を一体に形成されたモノリシック構造のセンサ装置において、回路部を外部からの汚染や擾乱から一層確実に保護する。【解決手段】Si基板などの半導体基板32の上面中央部には、センサ部33が設けられている。また、センサ部33を囲むようにして、半導体基板32の上面に回路部34が設けられている。回路部34の上面はSiO2からなる絶縁被覆層45によって覆われている。さらに、センサ部33の保護膜41は回路部34へも広がっており、絶縁被覆層45の上から回路部34の上方を覆っている。また、回路部34の上方のほぼ全体は、保護膜41の上に設けた金属保護膜46によって覆われている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板の上面に設けられたセンサ部と、
前記基板の上面に設けられた回路部と、
前記センサ部又は前記回路部と電気的に導通した複数の接続用パッドと、
前記回路部の少なくとも一部分の上方を覆う金属保護膜と、
を備えたセンサ装置。
IPC (3件):
B81B 3/00
, H04R 19/04
, H01L 29/84
FI (3件):
B81B3/00
, H04R19/04
, H01L29/84 Z
Fターム (36件):
3C081AA03
, 3C081BA03
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081CA15
, 3C081CA17
, 3C081CA42
, 3C081DA22
, 3C081EA21
, 4M112AA01
, 4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA11
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112CA14
, 4M112DA04
, 4M112DA15
, 4M112DA16
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA09
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA07
, 4M112FA08
, 4M112FA20
, 5D021CC15
, 5D021CC19
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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