特許
J-GLOBAL ID:201303039779445625
線路デバイスの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (12件):
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-141588
公開番号(公開出願番号):特開2013-232671
出願日: 2013年07月05日
公開日(公表日): 2013年11月14日
要約:
【課題】小型化が図られる線路デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に第一金属柱68及び第二金属柱を設置する。第一金属柱の最大幅は、第一金属柱及び第二金属柱の高さで割ると4より小さい。また、第一金属柱の高さは、20μmから300μmであって、かつ第一金属柱の中心点から第二金属柱の中心点までの距離は10μmから250μmである。これにより、金属柱体間の距離を250μm以下に縮小することが可能であって、かつピンホール数を400個以下の目標に抑えることも達成できる。またICの性能を有効に改善し、かつ低電源ICエレメントのIC金属接続線路の抵抗及び負荷を大幅に下げることが可能である。【選択図】図9
請求項(抜粋):
線路デバイスの製造方法であって、
半導体ウェハを準備し、前記半導体ウェハの上に少なくとも一つの第一金属層、並びに前記半導体ウェハ上、及び前記第一金属層上に位置する第一重合物層を形成する工程と、
粘着材料と接合することなく事前に電磁特性を完成した多数半導体チップからなる前記半導体ウェハの前記第一重合物層を研磨する工程と、
前記第一重合物層上及び前記第一金属層上に第二金属層を形成する工程と、
前記第二金属層上に、前記第二金属層が露出する開口を有する第一図案化ハードンフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第一図案化ハードンフォトレジスト層の開口から露出する前記第二金属層に、第三金属層を形成する工程と、
前記第一図案化ハードンフォトレジスト層を除去する工程と、
前記第三金属層に覆われていない前記第二金属層を除去する工程と、
を含む線路デバイスの製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/768
, H01L 23/522
, H01L 21/320
, H01L 23/12
FI (3件):
H01L21/90 B
, H01L21/88 T
, H01L23/12 501P
Fターム (95件):
5F033GG01
, 5F033GG02
, 5F033GG03
, 5F033HH04
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH31
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ01
, 5F033JJ07
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ13
, 5F033JJ14
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ21
, 5F033JJ31
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK09
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033KK13
, 5F033KK14
, 5F033KK17
, 5F033KK18
, 5F033KK21
, 5F033KK31
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM04
, 5F033MM11
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033MM17
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN15
, 5F033NN38
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ01
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ19
, 5F033QQ26
, 5F033QQ27
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ74
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR09
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033RR29
, 5F033SS04
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033VV07
, 5F033VV09
, 5F033VV10
, 5F033WW01
, 5F033WW02
, 5F033XX10
, 5F033XX19
, 5F033XX28
, 5F033XX30
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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