特許
J-GLOBAL ID：201303039815309130
半導体光変調器およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-200193
公開番号（公開出願番号）：特開2013-061506
出願日： 2011年09月14日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：
【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。【解決手段】第1半導体層102は、第1導電型のシリコンから構成され、第2半導体層106は、第2導電型のシリコンから構成されている。また、第1障壁層103は、第1組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層104は、第1組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第2組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第2障壁層105は、第2組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第3組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
量子構造層と障壁層とにより構成される量子構造を有する光変調部を備える半導体光変調器であって、
第1導電型のシリコンから構成された第1半導体層と、
第1組成のシリコンゲルマニウムから構成されて前記第1半導体層の上に形成された第1障壁層と、
前記第1組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第2組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えて前記第1障壁層の上に形成された量子構造層と、
前記第2組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第3組成のシリコンゲルマニウムから構成されて前記量子構造層の上に形成された第2障壁層と、
第2導電型のシリコンから構成されて前記第2障壁層の上に形成された第2半導体層と
を備え、
前記量子構造層は、前記第1障壁層および前記第2障壁層と前記量子構造層との材料の違いによる熱膨張係数の差で発生する圧縮性の歪みが制御されていることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/015 501
, G02F1/025
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079EA03
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA04
, 2H079JA07
