特許
J-GLOBAL ID：200903033048509941
量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-225104
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059843
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】本発明は、従来より厚みの厚いIn組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。【解決手段】InP基板13上に有機金属気相成長法で形成され、該InP基板13の格子定数に対して2%以上大きい格子定数を有する量子井戸層10を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層10は、成長温度が440°C以上510°C以下、かつ、成長速度が1.5μm/時以上で形成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
InP基板上に有機金属気相成長法で形成され、該InP基板の格子定数に対して2%以上大きい格子定数を有する量子井戸層を含む量子井戸構造において、
前記量子井戸層は、成長温度が440°C以上510°C以下、かつ、成長速度が1.5μm/時以上で形成される
ことを特徴とする量子井戸構造。
IPC (4件)：
H01S 5/343
, H01S 5/12
, H01S 5/22
, H01S 5/223
H01S5/343
, H01S5/12
, H01S5/22
, H01S5/223
5F173AA08
, 5F173AA26
, 5F173AB13
, 5F173AF04
, 5F173AF98
, 5F173AH04
, 5F173AH49
, 5F173AJ22
, 5F173AJ23
, 5F173AP05
, 5F173AQ11
, 5F173AQ12
, 5F173AR81
, 5F173AR84
, 5F173AR85
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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