特許
J-GLOBAL ID：201303040105008104

気泡率演算方法及び気泡率演算装置

発明者：
吉田 航也

吉田 航也 について

, 
中井 基生

中井 基生 について


出願人/特許権者：
株式会社ジェイテクト

株式会社ジェイテクト について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-076299
公開番号（公開出願番号）：特開2013-130589
出願日： 2013年04月01日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】半導体素子と放熱基板との接合領域に存在する気泡の有無を正確に検出して、接合領域全体の正確な気泡率を求めることができる気泡率演算方法及び気泡率演算装置を提供する。【解決手段】半導体素子と放熱基板の一面とが接合されている接合領域の状態を示す領域画像に含まれているビアホール44のメッキ部分45、及びメッキ部分45を除く接合領域を、異なる閾値で2値化して2値画像を生成し、生成した2値画像に基づいて、メッキ部分45を含む接合領域に位置する接合気泡の有無を検出し、検出した接合気泡の画素数の接合領域の画素数に対する割合を、接合領域全体の気泡率として算出する。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体素子と内面がメッキされた穴が形成されている放熱基板の一面とを接合してなる半導体装置の接合領域を、前記一面に向けてX線を照射して撮影してなる多値画像を用いて、前記接合領域に存在する気泡の前記接合領域に対する割合を演算する気泡率演算方法において、 前記多値画像に含まれている前記穴のメッキ部分、及び、該メッキ部分を除く前記接合領域を、異なる閾値で2値化して2値画像を生成し、 生成した2値画像に基づいて、前記接合領域に位置する接合気泡の有無を検出し、 検出した接合気泡の画素数の前記接合領域の画素数に対する割合を、接合領域全体の気泡率として算出することを特徴とする気泡率演算方法。
IPC (1件)：
G01N 23/04
FI (1件)：
G01N23/04
Fターム (7件)：
2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001CA01 ,  2G001JA11 ,  2G001KA04 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05
引用特許：
出願人引用 (3件)

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