特許

J-GLOBAL ID：201303040425092022

磁気抵抗効果素子、磁界検出器、電流検出器、磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 長永 隆志 ,  古川 泰助 ,  黒岩 丈晴 ,  福本 宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (7件)： 曾我 道治 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一 ,  吉田 潤一郎 ,  飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-100187
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229444
出願日： 2012年04月25日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】ヒシテリシスを抑制した高精度でかつ高感度な特性と、製造と集積化の容易さを両立した磁気抵抗効果素子等を提供する。【解決手段】膜面に対して垂直方向を磁化容易軸とする強磁性層からなる自由層(8)と、トンネル絶縁層(9)と、前記トンネル絶縁層を介して前記自由層と対向する膜面方向に磁化した強磁性層からなる固着層(10)と、が積層され、外部から磁界を印加しない状態において前記自由層と前記固着層の磁化の膜面への投影成分が互いに直交することを特徴とする磁気抵抗効果素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に対して垂直方向を磁化容易軸とする強磁性層からなる自由層と、 トンネル絶縁層と、 前記トンネル絶縁層を介して前記自由層と対向する膜面方向に磁化した強磁性層からなる固着層と、 が積層され、 外部から磁界を印加しない状態において前記自由層と前記固着層の磁化の膜面への投影成分が互いに直交することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F41/18

Fターム (32件)：

2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017BA05 ,  2G017BA09 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD05 ,  5F092AD22 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092CA02 ,  5F092CA22 ,  5F092CA26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-070839   出願人：三菱電機株式会社
• 磁気抵抗記憶素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-032888   出願人：日本電気株式会社
• 高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-501017   出願人：グランディスインコーポレイテッド