特許
J-GLOBAL ID：200903032547443491
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-070839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253562
出願日： 2005年03月14日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 トンネル磁気抵抗効果素子における固着層とトンネル絶縁層との界面の粗さのばらつきに起因する外部磁界に対する応答特性への影響を抑制する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子(1)は、固着層(9)と、トンネル絶縁層(10)と、トンネル絶縁層上に形成される自由層(11)を含む。自由層(11)と固着層との無磁界時の磁化方向は、好ましくは、実質的に相対角が90度をなしており、また、トンネル絶縁層は膜厚1.8nmから5nmの範囲の膜厚を有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反強磁性層および前記反強磁性層により磁化方向が固定される磁性体層を含む固着層、
外部印加磁界により磁化方向が変化しかつ外部無磁界時においては前記磁化方向が前記固着層の磁化方向に対して平行および反平行以外の角度をなす磁性体層で構成される自由層、および
前記固着層と前記自由層との間に配置されかつ膜厚が1.8nmから5nmの範囲であるトンネル絶縁層を備える、磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, H01L 43/12
, H01L 27/105
, H01L 21/824
, G01R 33/09
H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L27/10 447
, G01R33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083PR01
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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