特許
J-GLOBAL ID：200903001965864603

高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子

発明者：
グエン、ポール ピー.

グエン、ポール ピー. について

, 
ホワイ、イーミン

ホワイ、イーミン について


出願人/特許権者：
グランディス インコーポレイテッド

グランディス インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501017
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525847
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
磁気メモリに用い得る磁気素子を作製するための方法及びシステムを開示する。磁気素子には、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層とが含まれる。スペーサ層は固定層と自由層との間にある。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン転移を用いて切換え得る。磁気素子には更に、バリア層と第2固定層とを含み得る。他の選択肢として、第2固定層と第2スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第2自由層とが含まれる。少なくとも1つの自由層が高垂直異方性を有する。高垂直異方性は、面外減磁エネルギの少なくとも20%であり且つ100パーセント未満である垂直異方性エネルギを有する。
請求項（抜粋）：
固定層と、 非磁性であるスペーサ層と、 自由層磁化を有する自由層と、 が含まれ、前記スペーサ層が、前記固定層と前記自由層との間にあり、前記自由層が、高垂直異方性及び面外減磁エネルギを有し、前記高垂直異方性が、前記面外減磁エネルギの少なくとも20パーセントであり且つ100パーセント未満である垂直異方性エネルギを有し、 前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する時、前記自由層磁化がスピン転移により切り替えられるように構成される磁気素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15
FI (4件)：
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112
Fターム (28件)：
4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD22 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC45
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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