特許
J-GLOBAL ID:201303041178391549
パターン形成方法及びレジスト組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-235987
公開番号(公開出願番号):特開2013-092723
出願日: 2011年10月27日
公開日(公表日): 2013年05月16日
要約:
【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位を有する高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (9件):
G03F 7/038
, G03F 7/32
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/11
, G03F 7/38
, C08F 20/26
, C08F 22/06
, H01L 21/027
FI (10件):
G03F7/038 601
, G03F7/32
, G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/11 501
, G03F7/38 501
, C08F20/26
, C08F22/06
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 502C
Fターム (126件):
2H096AA27
, 2H096BA06
, 2H096DA04
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA23
, 2H096GA03
, 2H096JA02
, 2H096JA03
, 2H125AE13P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF27P
, 2H125AF34P
, 2H125AF38P
, 2H125AF41P
, 2H125AF43P
, 2H125AF45P
, 2H125AH05
, 2H125AH12
, 2H125AH13
, 2H125AH16
, 2H125AH22
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ02Y
, 2H125AJ12X
, 2H125AJ12Y
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ23X
, 2H125AJ26X
, 2H125AJ35Y
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ65Y
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ70X
, 2H125AJ83Y
, 2H125AJ84X
, 2H125AJ84Y
, 2H125AM22N
, 2H125AM30P
, 2H125AM43P
, 2H125AM94N
, 2H125AM94P
, 2H125AM99N
, 2H125AM99P
, 2H125AN11N
, 2H125AN31N
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN63N
, 2H125BA01N
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125DA03
, 2H125FA03
, 2H125FA05
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB81
, 4H006BJ50
, 4H006BM10
, 4H006BM71
, 4H006BP10
, 4H006BS70
, 4H006EA22
, 4J100AE06P
, 4J100AK32Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100AR22P
, 4J100AR32R
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02R
, 4J100BA02S
, 4J100BA02T
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA11S
, 4J100BA11T
, 4J100BA15R
, 4J100BA15S
, 4J100BA22P
, 4J100BA22Q
, 4J100BA40Q
, 4J100BA56R
, 4J100BB12R
, 4J100BB18R
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC04R
, 4J100BC04T
, 4J100BC07R
, 4J100BC08P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC49S
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100BC53S
, 4J100BC53T
, 4J100BC54R
, 4J100BC58Q
, 4J100BC59R
, 4J100BC84R
, 4J100JA38
, 5F146AA13
引用特許: