特許
J-GLOBAL ID：201303041468926284

シリコン基板上にGaN層を形成する方法およびGaN基板

発明者：
ジャマル・ラムダニ

ジャマル・ラムダニ について

, 
ジョン・ピィ・エドワーズ

ジョン・ピィ・エドワーズ について

, 
リュウ・リンリン

リュウ・リンリン について


出願人/特許権者：
パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド

パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-266296
公開番号（公開出願番号）：特開2013-123052
出願日： 2012年12月05日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】窒化ガリウム(GaN)基板およびシリコン上にGaN基板を作製するための方法を提供する。【解決手段】ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFETs)などの電子装置を形成するのに好適な、シリコン上のGaNの基板、および該基板の製造方法が開示される。シリコンウェハの上面上の結晶性Al2O3膜中にボイドが形成される。シリコンウェハの上面は<111>シリコン結晶方位に沿っている。複数の積層層がボイドおよびAl2O3膜上に堆積される。各積層層はAlN膜およびGaN膜を含む。トランジスタまたは他の装置が最上GaN膜中に形成され得る。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にGaN層を形成する方法であって、 シリコンウェハと前記シリコンウェハの表面上のAl2O3膜との間にAlSiOのアモルファス膜を形成する工程と、 前記Al2O3膜上に複数の積層層を堆積させる工程とを含み、各積層層は、AlNの層上にGaNの層を含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (22件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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