特許

J-GLOBAL ID：201303042233579796

ナノギャップ電極及びその製造方法

発明者： 内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  王 東方 ,  大畑 達彦
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人茨城大学
代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-183237
公開番号（公開出願番号）：特開2013-045913
出願日： 2011年08月25日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：

【課題】導電性膜を作製してから、導電性膜に通電しナノギャップを作製するプロセスを行うことなく、エレクトロマイグレーション時の大幅な印加電流の低減とプロセス時間の短縮することができるナノギャップ電極の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁体基板70上に金属電極80,81を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上に金属電極を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成することを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 99/00

FI (3件)：

H01L21/28 Z ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

Fターム (8件)：

4M104BB09 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD61 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ナノギャップ電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-073409   出願人：日本電信電話株式会社
• 不揮発性記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-077212   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化