特許
J-GLOBAL ID：200903098082111072
不揮発性記憶素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-077212
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235816
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】構造が極めて単純で、かつ繰り返して書き込み、消去、読み出し動作を安定に行うことのできる、不揮発性記憶素子を提供すること。【解決手段】本発明の不揮発性記憶素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30との間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の上に設けられた、第1電極と、
前記絶縁性基板の上に設けられた、第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙と、
を含む、不揮発性記憶素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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