液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスター及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下託嗣 , 小野由己男 , 稲積朋子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293584
公開番号（公開出願番号）：特開2002-333641
特許番号：特許第4798906号
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成されたアクティブパターンと、前記アクティブパターン及び前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記アクティブパターンを横切って第1不純物領域/第2不純物領域とチャネル領域を限定するゲート電極を含むゲート配線と、前記ゲート配線及び前記ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記第2不純物領域上へ前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜にわたって形成された第1コンタクトホールを通じて、前記第2不純物領域と連結されるデータ配線と、前記層間絶縁膜上に前記データ配線と同一な層で形成され、前記第1不純物領域上へ前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜にわたって形成された第2コンタクトホールを通じて、前記第1不純物領域と連結される画素電極と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート配線と同一な層で形成され、前記ゲート配線から所定間隔を置いて、前記ゲート配線と垂直に直交した方向に延びる信号伝達用配線と、を含み、前記データ配線は、前記第1コンタクトホールと前記信号伝達用配線上へ前記層間絶縁膜に形成された第3コンタクトホールを通じて、前記信号伝達用配線と前記第2不純物領域を連結する、液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスター。

IPC (3件)：

G02F 1/1368 ( 200 6.01) , G02F 1/1343 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G02F 1/136 , G02F 1/134 , H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-114449 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-014733 出願人：シャープ株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-261555 出願人：ソニー株式会社

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