化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高松猛 , 尾澤俊之 , 長谷川博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-163680
公開番号（公開出願番号）：特開2013-029554
出願日： 2011年07月26日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：

【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記(a)〜(c)を同時に満たす高分子化合物(A)を含有する、化学増幅型レジスト組成物。(a)分散度が1.2以下(b)重量平均分子量が2000以上6500以下(c)ガラス転移温度(Tg)が140°C以上【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記(a)〜(c)を同時に満たす高分子化合物(A)を含有する、化学増幅型レジスト組成物。 (a)分散度が1.2以下 (b)重量平均分子量が2000以上6500以下 (c)ガラス転移温度(Tg)が140°C以上

IPC (3件)：

G03F 7/038 , H01L 21/027 , C08F 12/22

FI (3件)：

G03F7/038 601 , H01L21/30 502R , C08F12/22

Fターム (67件)：

2H125AE02P , 2H125AE03P , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF39P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM12P , 2H125AM15P , 2H125AM66P , 2H125AN08P , 2H125AN25P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN63P , 2H125AN67P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA12 , 2H125CB12 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC17 , 2H125CD08P , 2H125CD09P , 2H125CD14P , 2H125CD38 , 2H125FA05 , 4J100AB00R , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AL08P , 4J100AL09Q , 4J100AR21R , 4J100AR32R , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03R , 4J100BA15Q , 4J100BA55Q , 4J100BB01R , 4J100BB18R , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC48Q , 4J100BC49Q , 4J100BC53Q , 4J100BC65Q , 4J100BC83Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-195995 出願人：東京応化工業株式会社
ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-159047 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-262880 出願人：富士写真フイルム株式会社

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