特許
J-GLOBAL ID：201303043316040283

無機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに発光装置

発明者：
高島 浩

高島 浩 について

, 
京免 徹

京免 徹 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-114517
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243005
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】100V以下の低電圧駆動に適した高輝度発光を実現する無機EL素子を提供し、小型化が可能な発光装置を提供する。【解決手段】第1の電極層と蛍光体積層構造と第2の電極層とからなる無機EL素子において、蛍光体積層構造を、ペロブスカイト型酸化物等の蛍光体層の間に透明導電体層を挟み込んで交互に積層した構造とする。本発明の無機EL素子は、蛍光体積層構造の上下の第1の電極と第2の電極に電圧を印加することにより、高輝度で発光する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、蛍光体積層構造と、第2の電極とを備える無機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記蛍光体積層構造は、複数の無機蛍光体層が、少なくとも1層の透明導電体からなる中間層を介して積層されていることを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件)：
H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (2件)：
H05B33/12 C ,  H05B33/14 Z
Fターム (8件)：
3K107AA07 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC02 ,  3K107CC12 ,  3K107DD51 ,  3K107DD54 ,  3K107GG06
引用特許：
審査官引用 (7件)
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